STFI40N60M2 Todos los transistores

 

STFI40N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFI40N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP
 

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STFI40N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:972K  st
 stf40n60m2 stfi40n60m2 stfw40n60m2.pdf pdf_icon

STFI40N60M2

STF40N60M2, STFI40N60M2, STFW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF40N60M2STFI40N60M2 650 V 0.088 34 A321 STFW40N60M2123TO-220FPI2PAKFP (TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area

 9.1. Size:1055K  st
 stf4n62k3 stfi4n62k3 sti4n62k3 stp4n62k3 stu4n62k3.pdf pdf_icon

STFI40N60M2

STF4N62K3, STFI4N62K3, STI4N62K3, STP4N62K3, STU4N62K3N-channel 620 V, 1.7 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABOrder codes VDSS RDS(on) max ID PTOT3STF4N62K3 25 W 32211STFI4N62K3 25 WTO-220FPIPAKSTI4N62K3 620 V

 9.2. Size:1055K  st
 stfi4n62k3.pdf pdf_icon

STFI40N60M2

STF4N62K3, STFI4N62K3, STI4N62K3, STP4N62K3, STU4N62K3N-channel 620 V, 1.7 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABOrder codes VDSS RDS(on) max ID PTOT3STF4N62K3 25 W 32211STFI4N62K3 25 WTO-220FPIPAKSTI4N62K3 620 V

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History: SQJ260EP

 

 
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