STFI4N62K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STFI4N62K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 620 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP

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STFI4N62K3 Datasheet (PDF)

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stf4n62k3 stfi4n62k3 sti4n62k3 stp4n62k3 stu4n62k3.pdf

STF4N62K3, STFI4N62K3, STI4N62K3, STP4N62K3, STU4N62K3N-channel 620 V, 1.7 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABOrder codes VDSS RDS(on) max ID PTOT3STF4N62K3 25 W 32211STFI4N62K3 25 WTO-220FPIPAKSTI4N62K3 620 V

..2. Size:1055K st
stfi4n62k3.pdf

9.1. Size:972K st
stf40n60m2 stfi40n60m2 stfw40n60m2.pdf

STF40N60M2, STFI40N60M2, STFW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF40N60M2STFI40N60M2 650 V 0.088 34 A321 STFW40N60M2123TO-220FPI2PAKFP (TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: K2837B | IRFS642

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: