STFW45N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFW45N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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STFW45N65M5 datasheet

 ..1. Size:1268K  st
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STFW45N65M5

STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5 N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STFW45N65M5 STW45N65M5 710 V 0.078 35 A 1 1 1 STWA45N65M5 3 3 2 2 1 1 Worldwide best RDS(on) * area TO-247 TO-3PF TO-247 long leads Hig

 ..2. Size:1268K  st
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STFW45N65M5

STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5 N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STFW45N65M5 STW45N65M5 710 V 0.078 35 A 1 1 1 STWA45N65M5 3 3 2 2 1 1 Worldwide best RDS(on) * area TO-247 TO-3PF TO-247 long leads Hig

 ..3. Size:264K  inchange semiconductor
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STFW45N65M5

Isc N-Channel MOSFET Transistor STFW45N65M5 FEATURES With To-3PML package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

 9.1. Size:756K  st
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STFW45N65M5

STFW4N150 STP4N150, STW4N150 N-channel 1500 V, 5 , 4 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF Features Type VDSS RDS(on) max ID Pw STFW4N150 1500 V

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