STFW69N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STFW69N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PF
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STFW69N65M5
STFW69N65M5 Datasheet (PDF)
stfw69n65m5 stw69n65m5.pdf
STFW69N65M5 STW69N65M5N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A MDmesh V Power MOSFETin TO-3PF and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW69N65M5710 V
stw60n65m5 stfw60n65m5.pdf
STW60N65M5STFW60N65M5N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFETin TO-247, TO-3PFFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTFW60N65M5111710 V
stfw6n120k3 stp6n120k3 stw6n120k3.pdf
STFW6N120K3, STP6N120K3,STW6N120K3N-channel 1200 V, 1.95 typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID Ptot321STFW6N120K3 1200 V
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History: STH110N10F7-2
History: STH110N10F7-2
Liste
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