STH12N120K5-2 Todos los transistores

 

STH12N120K5-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH12N120K5-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.69 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2
 

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STH12N120K5-2 Datasheet (PDF)

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STH12N120K5-2

STH12N120K5-2, STP12N120K5, STW12N120K5, STWA12N120K5 N-channel 1200 V, 0.62 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFETs in HPAK-2, TO-220, TO-247 and TO-247 long leads Datasheet - production data Features Order codes V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH12N120K5-2 STP12N120K5 2PAK-2H TO-2201200 V 0.69 12 A 250 W STW12N120K5 STWA12N120K5 Worldwide best FOM (figure of m

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History: AP4413GM | SQM120N04-03 | SI4178DY | SSN65R1K2S2E | APT37M100L | SMG2305P | PTB14508E

 

 
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