STH265N6F6-6AG Todos los transistores

 

STH265N6F6-6AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH265N6F6-6AG
   Código: 265N6F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 183 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

STH265N6F6-6AG Datasheet (PDF)

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STH265N6F6-6AG

STH265N6F6-2AG, STH265N6F6-6AG Automotive N-channel 60 V, 1.6 m typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DTABTABSTH265N6F6-2AG 60 V 2.1 m 180 A STH265N6F6-6AG 60 V 2.1 m 180 A 7231 Designed for automotive applications 1 Very low on-resistance

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STH265N6F6-6AG

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STH265N6F6-6AG

STH260N6F6-2N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-2 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDTABSTH260N6F6-2 60 V

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STH265N6F6-6AG

STH260N6F6-6N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-6 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTH260N6F6-6 60 V 2.4 m 180 ATAB Low gate charge Very low on-resistance7 High avalanche ruggedness11ApplicationsH2PAK-6 Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sch

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History: IRLR3715 | FMC20N50E

 

 
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