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IXFR24N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFR24N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR24N50

 

Principales características: IXFR24N50

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IXFR24N50

Advanced Technical Information VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 26N50 500 V 24 A 0.20 W ISOPLUS247TM IXFR 24N50 500 V 22 A 0.23 W (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low trr, HDMOSTM Family ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 50

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IXFR24N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 26N50Q 500 V 24 A 0.20 ISOPLUS247TM IXFR 24N50Q 500 V 22 A 0.23 (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low t , HDMOSTM Family rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C

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IXFR24N50

IXFR 24N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 13 A Power MOSFET RDS(on) 420 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

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IXFR24N50

HiPerFETTM Power VDSS = 1000V IXFR24N100 ID25 = 22A MOSFET RDS(on) 390m ISOPLUS247TM t 250ns (Electrically Isolated Back Surface) rr N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS247 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Co

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History: 2N6768JANTX | STB76NF75

 

 
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