IRHG597110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHG597110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.96 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.96 Ohm

Encapsulados: MO-036AB

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IRHG597110 datasheet

 ..1. Size:115K  international rectifier
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IRHG597110

PD - 94431 IRHG597110 100V, Quad P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) 4# 4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG597110 100K Rads (Si) 0.96 -0.96A IRHG593110 300K Rads (Si) 0.98 -0.96A MO-036AB International Rectifier s RAD-HardTM HEXFET MOSFET Features Technology provides high

 9.1. Size:181K  international rectifier
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IRHG597110

PD - 94246B IRHG567110 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET TECHNOLOGY 4 4 THRU-HOLE (MO-036AB) # Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHG567110 100K Rads (Si) 0.29 1.6A N IRHG563110 300K Rads (Si) 0.29 1.6A N IRHG567110 100K Rads (Si) 0.96 -0.96A P IRHG563110 300K Rads (Si) 0.96 -

 9.2. Size:119K  international rectifier
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IRHG597110

PD - 94432B RADIATION HARDENED IRHG57110 POWER MOSFET 100V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036) 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG57110 100K Rads (Si) 0.29 1.6A IRHG53110 300K Rads (Si) 0.29 1.6A IRHG54110 500K Rads (Si) 0.29 1.6A IRHG58110 1000K Rads (Si) 0.31 1.6A MO-036AB International Rectifier s R5TM technology pro

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