IRHLF770Z4 Todos los transistores

 

IRHLF770Z4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHLF770Z4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-39
 

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IRHLF770Z4 datasheet

 ..1. Size:201K  international rectifier
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IRHLF770Z4

PD-94695F 2N7621T2 RADIATION HARDENED IRHLF770Z4 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF770Z4 100K Rads (Si) 0.6 1.6A* IRHLF730Z4 300K Rads (Si) 0.6 1.6A* T0-39 International Rectifier s R7TM Logic Level Power Features Mosfets provide simple solution to interfacing CMOS n 5V

 8.1. Size:214K  international rectifier
 irhlf7970z4.pdf pdf_icon

IRHLF770Z4

PD-94685E 2N7631T2 RADIATION HARDENED IRHLF7970Z4 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF7970Z4 100K Rads (Si) 1.35 -1.5A IRHLF7930Z4 300K Rads (Si) 1.35 -1.5A T0-39 International Rectifier s R7TM Logic Level Power Mosfets provide simple solution to interfacing CMOS and TTL con

 9.1. Size:212K  international rectifier
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IRHLF770Z4

PD-97810 RADIATION HARDENED IRHLF87Y20 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 20V, N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-39) R8 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF87Y20 100K Rads (Si) 32m 12A* IRHLF83Y20 300K Rads (Si) 32m 12A* TO-39 International Rectifier s R8TM Logic Level Power MOSFETs provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control circuits

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