IRHLF7970Z4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHLF7970Z4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-39
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHLF7970Z4
IRHLF7970Z4 Datasheet (PDF)
irhlf7970z4.pdf
PD-94685E2N7631T2RADIATION HARDENED IRHLF7970Z4LOGIC LEVEL POWER MOSFET60V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF7970Z4 100K Rads (Si) 1.35 -1.5A IRHLF7930Z4 300K Rads (Si) 1.35 -1.5AT0-39International Rectifiers R7TM Logic Level PowerMosfets provide simple solution to interfacing CMOSand TTL con
irhlf770z4.pdf
PD-94695F2N7621T2RADIATION HARDENED IRHLF770Z4LOGIC LEVEL POWER MOSFET60V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF770Z4 100K Rads (Si) 0.6 1.6A* IRHLF730Z4 300K Rads (Si) 0.6 1.6A*T0-39International Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:Mosfets provide simple solution to interfacing CMOSn 5V
irhlf87y20.pdf
PD-97810RADIATION HARDENED IRHLF87Y20LOGIC LEVEL POWER MOSFET 20V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-39)R8Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF87Y20 100K Rads (Si) 32m 12A* IRHLF83Y20 300K Rads (Si) 32m 12A* TO-39International Rectifiers R8TM Logic Level Power MOSFETsprovide simple solution to interfacing CMOS and TTL controlcircuits
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History: 2SK3163
History: 2SK3163
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