IRHLF87Y20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHLF87Y20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 592 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: TO-39

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IRHLF87Y20 datasheet

 ..1. Size:212K  international rectifier
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IRHLF87Y20

PD-97810 RADIATION HARDENED IRHLF87Y20 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 20V, N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-39) R8 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF87Y20 100K Rads (Si) 32m 12A* IRHLF83Y20 300K Rads (Si) 32m 12A* TO-39 International Rectifier s R8TM Logic Level Power MOSFETs provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control circuits

 9.1. Size:201K  international rectifier
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IRHLF87Y20

PD-94695F 2N7621T2 RADIATION HARDENED IRHLF770Z4 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF770Z4 100K Rads (Si) 0.6 1.6A* IRHLF730Z4 300K Rads (Si) 0.6 1.6A* T0-39 International Rectifier s R7TM Logic Level Power Features Mosfets provide simple solution to interfacing CMOS n 5V

 9.2. Size:214K  international rectifier
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IRHLF87Y20

PD-94685E 2N7631T2 RADIATION HARDENED IRHLF7970Z4 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLF7970Z4 100K Rads (Si) 1.35 -1.5A IRHLF7930Z4 300K Rads (Si) 1.35 -1.5A T0-39 International Rectifier s R7TM Logic Level Power Mosfets provide simple solution to interfacing CMOS and TTL con

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