IRHLYS77034CM Todos los transistores

 

IRHLYS77034CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHLYS77034CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 484 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRHLYS77034CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhlys77034cm.pdf pdf_icon

IRHLYS77034CM

PRELIMINARYPD-972912N7607T3RADIATION HARDENED IRHLYS77034CM60V, N-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLYS77034CM 100K Rads (Si) 0.045 20A* IRHLYS73034CM 300K Rads (Si) 0.045 20A*Low-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:MOSFETs

 7.1. Size:202K  international rectifier
 irhlys797034cm.pdf pdf_icon

IRHLYS77034CM

PD-97292A2N7625T3RADIATION HARDENED IRHLYS797034CMLOGIC LEVEL POWER MOSFET60V, P-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLYS797034CM 100K Rads (Si) 0.074 -20A* IRHLYS793034CM 300K Rads (Si) 0.074 -20A*Low-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:MOSFETs provid

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFR120TR | 4N65KG-T60-K | MRF5003 | AONS36316 | RQK0608BQDQS | STP5N62K3

 

 
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