IRHLYS77034CM Todos los transistores

 

IRHLYS77034CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHLYS77034CM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 34 nC

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 484 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.045 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-257AA

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IRHLYS77034CM Datasheet (PDF)

1.1. irhlys77034cm.pdf Size:190K _update

IRHLYS77034CM
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PRELIMINARY PD-97291 2N7607T3 RADIATION HARDENED IRHLYS77034CM 60V, N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLYS77034CM 100K Rads (Si) 0.045Ω 20A* IRHLYS73034CM 300K Rads (Si) 0.045Ω 20A* Low-Ohmic TO-257AA International Rectifier’s R7TM Logic Level Power Features: MOSFETs

3.1. irhlys797034cm.pdf Size:202K _update

IRHLYS77034CM
IRHLYS77034CM

PD-97292A 2N7625T3 RADIATION HARDENED IRHLYS797034CM LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLYS797034CM 100K Rads (Si) 0.074Ω -20A* IRHLYS793034CM 300K Rads (Si) 0.074Ω -20A* Low-Ohmic TO-257AA International Rectifier’s R7TM Logic Level Power Features: MOSFETs provid

 

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