STI18N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI18N65M5
Código: 18N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 31 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 32 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
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STI18N65M5 Datasheet (PDF)
stf18n65m5 sti18n65m5 stp18n65m5 stw18n65m5.pdf
STF18N65M5, STI18N65M5, STP18N65M5,STW18N65M5N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order code IDTJmax max3213STF18N65M5 21TO-220FPSTI18N65M5IPAK710 V
sti18n65m2 stp18n65m2.pdf
STI18N65M2, STP18N65M2N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABTABSTI18N65M2650V 0.33 12 ASTP18N65M23 32211 Extremely low gate chargeI2PAK TO-220 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested Zener-prote
stb18nm60n stf18nm60n sti18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf
STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60NSTP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.27 , 13 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK and IPAKFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID PW(@Tjmax) max.3312STB18NM60N 110 W 1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-24732STI18NM60N 650 V
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