STI33N65M2 Todos los transistores

 

STI33N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI33N65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STI33N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  st
 stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf pdf_icon

STI33N65M2

STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce

 7.1. Size:1110K  st
 stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf pdf_icon

STI33N65M2

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order codes ID32 3TJmax max1212I PAKTO-220FPSTF33N60M2 26 A(1)TABSTI33N60M2650 V 0.125 STP33N60M2 26 ASTW33N60M233221

Otros transistores... STI18N65M5 , STI19NM65N , STI20N65M5 , STI21NM60ND , STI23NM60N , STI24N60M2 , STI260N6F6 , STI33N60M2 , 7N65 , STI360N4F6 , STI400N4F6 , STI40N65M2 , STI45N10F7 , STI57N65M5 , STI5N52U , STI60N55F3 , STI6N80K5 .

History: WST4041 | TMP3N90 | IRLU3105PBF

 

 
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