STI400N4F6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STI400N4F6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1740 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STI400N4F6 datasheet

 ..1. Size:174K  st
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STI400N4F6

STI400N4F6, STP400N4F6 N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - preliminary data Features Order codes VDSS RDS(on) max ID TAB TAB STI400N4F6 40 V

 9.1. Size:440K  st
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STI400N4F6

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 2 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 I PAK TO-220 100% avalanche tested

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