STI6N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STI6N80K5
   Código: 6N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STI6N80K5

STI6N80K5 Datasheet (PDF)

..1. Size:1285K st
stb6n80k5 std6n80k5 sti6n80k5 stp6n80k5.pdf

STB6N80K5, STD6N80K5,STI6N80K5, STP6N80K5N-channel 800 V, 1.3 typ., 4.5 A MDmesh K5Power MOSFETs in DPAK, DPAK, IPAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT3131STB6N80K5DPAKD2PAKSTD6N80K5TAB TAB800 V 1.6 4.5 A 85 WSTI6N80K5STP6N80K5323211 Industrys lowest RDS(on)TO-

9.1. Size:1046K st
stf6n62k3 stfi6n62k3 sti6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3.pdf

STF6N62K3, STFI6N62K3, STI6N62K3,STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 typ., 5.5 A SuperMESH3 PowerMOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PTOT33STF6N62K3 30 W2 211STFI6N62K3 30 WTO-220FPIPAKSTI6N62K3 620 V

9.2. Size:1146K st
sti6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3 stf6n62k3 std6n62k3.pdf

STD6N62K3, STF6N62K3STI6N62K3, STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 , 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFETin IPAK, DPAK, TO-220,TO-220FP, IPAKFeaturesRDS(on) 3Order codes VDSS ID Pw2max.1321IPAKSTD6N62K3 90 WIPAKSTF6N62K3 30 W3STI6N62K3 620 V

9.3. Size:544K st
sti6n95k5.pdf

STI6N95K5 N-channel 950 V, 1 typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTI6N95K5 950 V 1.25 9 A 90 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) 3 Ultra-low gate charge 21 100% avalanche tested Zener-protected I

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME4970A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: