STK820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK820
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
Paquete / Cubierta: POLARPAK
Búsqueda de reemplazo de STK820 MOSFET
STK820 Datasheet (PDF)
stk820.pdf
STK820N-channel 25 V - 0.0058 - 21 A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOTTypeSTK820 25 V
stk822.pdf
STK822N-channel 25 V - 0.00175 - 38 A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*Qg PTOTTypemaxSTK822 25 V
Otros transistores... STI6N80K5 , STI76NF75 , STI90N4F3 , STK20N75F3 , STK22N6F3 , STK28N3LLH5 , STK38N3LLH5 , STK800 , AO4407 , STK822 , STK850 , STL100N10F7 , STL100NH3LL , STL105NS3LLH7 , STL10N60M2 , STL110N10F7 , STL110NS3LLH7 .
History: SI4421DY | IPA60R180C7 | APT41M80B2 | MCAC50N10Y-TP
History: SI4421DY | IPA60R180C7 | APT41M80B2 | MCAC50N10Y-TP
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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