STK820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK820
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
Paquete / Cubierta: POLARPAK
- Selección de transistores por parámetros
STK820 Datasheet (PDF)
stk820.pdf

STK820N-channel 25 V - 0.0058 - 21 A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOTTypeSTK820 25 V
stk822.pdf

STK822N-channel 25 V - 0.00175 - 38 A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*Qg PTOTTypemaxSTK822 25 V
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: 3SK169P | AOD424G | BRFL65R160C | APT22F80B | IPS12CN10LG | IRHMK57260SE | IXFH96N15P
History: 3SK169P | AOD424G | BRFL65R160C | APT22F80B | IPS12CN10LG | IRHMK57260SE | IXFH96N15P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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