STK820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK820
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
Paquete / Cubierta: POLARPAK
Búsqueda de reemplazo de STK820 MOSFET
STK820 Datasheet (PDF)
stk820.pdf
STK820N-channel 25 V - 0.0058 - 21 A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOTTypeSTK820 25 V
stk822.pdf
STK822N-channel 25 V - 0.00175 - 38 A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*Qg PTOTTypemaxSTK822 25 V
Otros transistores... STI6N80K5 , STI76NF75 , STI90N4F3 , STK20N75F3 , STK22N6F3 , STK28N3LLH5 , STK38N3LLH5 , STK800 , 13N50 , STK822 , STK850 , STL100N10F7 , STL100NH3LL , STL105NS3LLH7 , STL10N60M2 , STL110N10F7 , STL110NS3LLH7 .
History: STK822 | 5N65G-TF2-T | 5N65L-TM3-T
History: STK822 | 5N65G-TF2-T | 5N65L-TM3-T
Liste
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