STK820 Todos los transistores

 

STK820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK820
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
 

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STK820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  st
 stk820.pdf pdf_icon

STK820

STK820N-channel 25 V - 0.0058 - 21 A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOTTypeSTK820 25 V

 9.1. Size:477K  st
 stk822.pdf pdf_icon

STK820

STK822N-channel 25 V - 0.00175 - 38 A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*Qg PTOTTypemaxSTK822 25 V

Otros transistores... STI6N80K5 , STI76NF75 , STI90N4F3 , STK20N75F3 , STK22N6F3 , STK28N3LLH5 , STK38N3LLH5 , STK800 , TK10A60D , STK822 , STK850 , STL100N10F7 , STL100NH3LL , STL105NS3LLH7 , STL10N60M2 , STL110N10F7 , STL110NS3LLH7 .

History: JCS6N70S | 2N7002ZDWG-AL6-R | AU5N60S | FHD4N65B | SH8J62

 

 
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