STL100N10F7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL100N10F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 823 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL100N10F7 datasheet

 ..1. Size:1396K  st
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STL100N10F7

STL100N10F7 N-channel 100 V, 0.0062 typ., 19 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDSS max ID PTOT 1 STL100N10F7 100 V 0.0073 19 A 5 W 2 3 4 Ultra low on-resistance PowerFLAT 5x6 100% avalanche tested Applications Switching applications Description Figure 1. Int

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STL100N10F7

STL100N1VH5 N-channel 12 V, 0.0022 , 25 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max. STL100N1VH5 12 V

 7.1. Size:2352K  st
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STL100N10F7

STL100N6LF6 N-channel 60 V, 3.3 m typ., 25 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL100N6LF6 60 V 4.4 m 25 A Low gate charge 1 2 Very low on-resistance 3 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description Figure 1.

 7.2. Size:377K  st
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STL100N10F7

STL100NH3LL N-channel 30 V - 0.0032 - 25 A - PowerFLAT (6x5) STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL100NH3LL 30 V

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