STL100NH3LL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL100NH3LL
Código: L100NH3LL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 655 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT6X5
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL100NH3LL
STL100NH3LL Datasheet (PDF)
stl100nh3ll.pdf
STL100NH3LLN-channel 30 V - 0.0032 - 25 A - PowerFLAT (6x5)STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS IDmaxSTL100NH3LL 30 V
stl100n1vh5.pdf
STL100N1VH5N-channel 12 V, 0.0022 , 25 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.STL100N1VH5 12 V
stl100n10f7.pdf
STL100N10F7N-channel 100 V, 0.0062 typ., 19 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOT1STL100N10F7 100 V 0.0073 19 A 5 W234 Ultra low on-resistancePowerFLAT 5x6 100% avalanche testedApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Int
stl100n6lf6.pdf
STL100N6LF6N-channel 60 V, 3.3 m typ., 25 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL100N6LF6 60 V 4.4 m 25 A Low gate charge12 Very low on-resistance34 High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1.
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