STL105NS3LLH7 Todos los transistores

 

STL105NS3LLH7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL105NS3LLH7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de STL105NS3LLH7 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STL105NS3LLH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1131K  st
stl105ns3llh7.pdf pdf_icon

STL105NS3LLH7

STL105NS3LLH7N-channel 30 V, 0.0033 typ., 27 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL105NS3LLH7 30 V 0.0039 27 A Very low on-resistance12 Very low Qg34 Avalanche high ruggednessPowerFLAT5x6 Embedded Schottky diodeApplications Switching

 9.1. Size:1020K  st
stl10n60m2.pdf pdf_icon

STL105NS3LLH7

STL10N60M2N-channel 600 V, 0.580 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ Order codeTJmax RDS(on) max IDSTL10N60M2 650 V 0.660 5.5 A Extremely low gate charge123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 Low gate input resistancePowerFLAT 5x6 HV 100% aval

 9.2. Size:100K  st
stl106d.pdf pdf_icon

STL105NS3LLH7

STL106DHigh voltage fast-switching NPN power transistorFeatures NPN transistor Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speedApplications Compact fluorescent lamps at 110V A.C. mains Flyback and forward single transistor low power TO-92converters at 110V A.C. mainsDescriptionFigure 1. Intern

 9.3. Size:771K  st
stl10n65m2.pdf pdf_icon

STL105NS3LLH7

STL10N65M2DatasheetN-channel 650 V, 0.85 typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageFeaturesVDS RDS(on ) max. IDOrder codeSTL10N65M2 650 V 1.00 4.5 A12 Extremely low gate charge34 Excellent output capacitance (COSS) profilePowerFLAT 5x6 HV 100% avalanche tested Zener-protectedD(5, 6, 7, 8)8 7 6 5Applications Switch

Otros transistores... STK28N3LLH5 , STK38N3LLH5 , STK800 , STK820 , STK822 , STK850 , STL100N10F7 , STL100NH3LL , AON7506 , STL10N60M2 , STL110N10F7 , STL110NS3LLH7 , STL11N4LLF5 , STL11N65M5 , STL120N2VH5 , STL120N4F6AG , STL12N3LLH5 .

History: 8N60H | RU30120L | SI7415DN | IPI14N03LA | 2SK1060 | TK290A60Y

 

 
Back to Top

 


 
.