STL110N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL110N10F7
   Código: 110N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 992 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL110N10F7

STL110N10F7 Datasheet (PDF)

..1. Size:1029K st
stl110n10f7.pdf

STL110N10F7N-channel 100 V, 0.005 typ., 107 A, STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOT0.006 STL110N10F7 100 V 107 A 136 W(VGS= 10 V)12 Among the lowest RDS(on) on the market34 Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche

7.1. Size:695K st
stl110ns3llh7.pdf

STL110NS3LLH7N-channel 30 V, 0.0027 typ., 120 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL110NS3LLH7 30 V 0.0034 120 A Very low on-resistance1 Very low Qg234 High avalanche ruggedness Embedded Schottky diodePowerFLAT5x6Applications Switchin

9.1. Size:1036K st
stl11n65m5.pdf

STL11N65M5N-channel 650 V, 0.475 typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 package Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ Tj max. RDS(on) max ID67STL11N65M5 710 V 0.530 8.5 A5 Extremely low RDS(on) 4 Low gate charge and input capacitance Excellent switching performance 112TM 100% avalanche testedPowerFLAT 5x5

9.2. Size:1174K st
stl11n4llf5.pdf

STL11N4LLF5N-channel 40 V, 9.1 m typ., 15 A STripFETV Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL11N4LLF5 40 V 9.7 m 15 A Low gate charge Very low on-resistancePowerFLAT 3.3x3.3 High avalance ruggedenessApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schemat

9.3. Size:489K st
stl11n3llh6.pdf

STL11N3LLH6N-channel 30 V, 0.006 , 11 A PowerFLAT (3.3 x 3.3)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.STL11N3LLH6 30 V 0.0075 11 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT (3.3 x 3.3) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power

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