STL12N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL12N65M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6HV
Búsqueda de reemplazo de STL12N65M2 MOSFET
STL12N65M2 Datasheet (PDF)
stl12n65m2.pdf

STL12N65M2 N-channel 650 V, 0.62 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL12N65M2 650 V 0.75 5 A 48 W 1 Extremely low gate charge 23 Excellent output capacitance (COSS) profile 4 100% avalanche tested Zener-protected PowerFLAT 5x6 HVAp
stl12n65m5.pdf

STL12N65M5N-channel 650 V, 0.475 typ., 8.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTL12N65M5 710 V 0.530 8.5 A Outstanding RDS(on)*area1 Extremely large avalanche performance23 Gate charge minimized4TM Very low intrinsic capacitancePowerFLAT 5x6 HV 100% ava
stl12n60m2.pdf

STL12N60M2 N-channel 600 V, 0.400 typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL12N60M2 600 V 0.495 6.5 A 52 W 1 Extremely low gate charge 23 Excellent output capacitance (COSS) profile 4 100% avalanche tested Zener-protected PowerFLAT 5x6 HV
stl12n3llh5.pdf

STL12N3LLH5N-channel 30 V, 0.0079 , 12 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL12N3LLH5 30 V
Otros transistores... STL110N10F7 , STL110NS3LLH7 , STL11N4LLF5 , STL11N65M5 , STL120N2VH5 , STL120N4F6AG , STL12N3LLH5 , STL12N60M2 , 18N50 , STL12P6F6 , STL130N8F7 , STL13DP10F6 , STL13N60M2 , STL13N65M2 , STL15N65M5 , STL160NS3LLH7 , STL16N60M2 .
History: IRFU3709ZC | SUN0760F | IRF250P224 | VS3P07C | IRF9Z24SPBF | HM4402B | SPB07N60C2
History: IRFU3709ZC | SUN0760F | IRF250P224 | VS3P07C | IRF9Z24SPBF | HM4402B | SPB07N60C2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor