STL16N65M2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL16N65M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.395 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6HV

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STL16N65M2 datasheet

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STL16N65M2

STL16N65M2 N-channel 650 V, 0.325 typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID STL16N65M2 710 V 0.395 7.5 A Extremely low gate charge 1 Excellent output capacitance (Coss) profile 2 3 4 100% avalanche tested Zener-protected PowerFLAT 5x6 HV Applications

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STL16N65M2

STL16N65M5 N-channel 650 V, 0.270 , 12 A PowerFLAT 8x8 HV MDmesh V Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL16N65M5 710 V

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STL16N65M2

STL16N60M2 N-channel 600 V, 0.290 typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) D STL16N60M2 650 V 0.355 8 A Extremely low gate charge 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 2 100% avalanche tested 3 4 Zener-protected Applications PowerFL

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STL16N65M2

STL16N1VH5 N-channel 12 V, 0.0022 , 16 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max STL16N1VH5 12 V 0.003 16 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb Improved die-to-footprint ratio Very low profile package (1mm max) PowerFLAT (3.3x3.3) Very low thermal resistance Very low gate charge Very low o

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