STL18N60M2 Todos los transistores

 

STL18N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL18N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.308 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6HV

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STL18N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:940K  st
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STL18N60M2
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STL18N60M2N-channel 600 V, 0.278 typ., 9 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ Order codeTJmax RDS(on) max IDSTL18N60M2 650 V 0.308 9 A Extremely low gate charge123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 Low gate input resistancePowerFLAT 5x6 HV 100% avalanche

 7.1. Size:704K  st
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STL18N60M2
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STL18N65M2N-channel 650 V, 0.290 typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - preliminary dataFeaturesVDS @ Order codesTJmax RDS(on) max IDSTL18N65M2 715 V 0.365 8 A Extremely low gate charge123 Excellent output capacitance (Coss) profile4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 HV Zener-protectedApplicatio

 7.2. Size:1535K  st
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STL18N60M2
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STL18N65M5N-channel 650 V, 0.215 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL18N65M5 710 V 0.240 15 A(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package.1 Outstanding RDS(on)*area23 Extremely large avalanche performance4 Gate charge minimize

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STL18N60M2
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STL18N55M5N-channel 550 V, 0.205 , 13 A PowerFLAT 8x8 HVMDmesh V Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL18N55M5 600 V

 8.2. Size:938K  st
stl18nm60n.pdf

STL18N60M2
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STL18NM60NN-channel 600 V, 0.26 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET ina PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2) 12 A STL18NM60N 650 V 0.310 G(1) (1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case 100% avalanche tested Low input capacitance and gate chargePowerFLAT 8

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