STL23NM50N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL23NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL23NM50N datasheet

 ..1. Size:653K  st
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STL23NM50N

STL23NM50N N-channel 500 V, 0.170 typ., 14 A MDmesh II Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet production data Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL23NM50N 550 V

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STL23NM50N

STL23NM60ND N-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) PowerFLAT (8x8) HV Preliminary data Features VDSS Type RDS(on) max ID S(3) Bottom view S(3) (@Tjmax) S(3) G(1) STL23NM60ND 650 V

 8.1. Size:676K  st
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STL23NM50N

STL23NS3LLH7 N-channel 30 V, 0.0027 typ., 23 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STL23NS3LLH7 30 V 0.0037 23 A Very low on-resistance Very low Qg High avalanche ruggedness Embedded Schottky diode Applications Switching applicat

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STL23NM50N

STL23N85K5 N-channel 850 V, 0.2 typ., 12.5 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV Datasheet preliminary data Features Order code VDSS RDS(on)max ID PW S(2) Bottom view S(2) STL23N85K5 850 V

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