STL23NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL23NM50N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
- Selección de transistores por parámetros
STL23NM50N Datasheet (PDF)
stl23nm50n.pdf

STL23NM50NN-channel 500 V, 0.170 typ., 14 A MDmesh II Power MOSFETin a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL23NM50N 550 V
stl23nm60nd.pdf

STL23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) PowerFLAT (8x8) HVPreliminary dataFeaturesVDSSType RDS(on) max ID S(3) Bottom viewS(3)(@Tjmax)S(3)G(1)STL23NM60ND 650 V
stl23ns3llh7.pdf

STL23NS3LLH7 N-channel 30 V, 0.0027 typ., 23 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTL23NS3LLH7 30 V 0.0037 23 A Very low on-resistance Very low Qg High avalanche ruggedness Embedded Schottky diode Applications Switching applicat
stl23n85k5.pdf

STL23N85K5N-channel 850 V, 0.2 typ., 12.5 A Zener-protectedSuperMESH5 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HVDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID PWS(2) Bottom viewS(2)STL23N85K5 850 V
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRFB4137 | IPAW60R280P7S | HM10N60F | RUH60D60M | BUK7Y12-100E | AP4506GEM | AP4417GJ
History: IRFB4137 | IPAW60R280P7S | HM10N60F | RUH60D60M | BUK7Y12-100E | AP4506GEM | AP4417GJ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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