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IXFT20N80Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFT20N80Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268
 

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IXFT20N80Q PDF Specs

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IXFT20N80Q

IXFH20N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFK20N80Q ID25 = 20 A Power MOSFETs IXFT20N80Q RDS(on) = 0.42 Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Preliminary Data TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 ... See More ⇒

 5.1. Size:326K  ixys
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IXFT20N80Q

IXFH 20N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFT 20N80P ID25 = 20 A Power MOSFET IXFV 20N80P RDS(on) 520 m N-Channel Enhancement Mode IXFV 20N80PS trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RG... See More ⇒

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IXFT20N80Q

IXFH 20N60Q VDSS = 600 V HiPerFETTM IXFT 20N60Q ID25 = 20 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.35 Q-Class trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGS C... See More ⇒

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IXFT20N80Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 Power MOSFETs IXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to... See More ⇒

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