STL30P3LLH6 Todos los transistores

 

STL30P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL30P3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

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STL30P3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  st
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STL30P3LLH6
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STL30P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 9 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTL30P3LLH6 30 V 0.03 9 A 4.8 W RDS(on) * Qg industry benchmark123 Extremely low on-resistance RDS(on)4 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesPowerFLAT

 9.1. Size:1241K  st
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STL30P3LLH6
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STL30N10F7N-channel 100 V, 0.027 typ., 8 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. ID PTOTSTL30N10F7 100 V 0.035 8 A 4.8 W(1)121. The value is rated according to Rthj-pcb.34 Ultra low on-resistancePowerFLAT 5x6 100% avalanche testedApplications Switchi

 9.2. Size:169K  st
stl30nf3ll.pdf

STL30P3LLH6
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STL30NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 - 30A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL30NF3LL 30 V

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