IXFT24N100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFT24N100  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: TO268

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IXFT24N100 datasheet

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 ixfh21n50 ixfh24n50 ixfh26n50 ixfm21n50 ixfm24n50 ixfm26n50 ixft24n50 ixft26n50.pdf pdf_icon

IXFT24N100

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 Power MOSFETs IXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to

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 ixfh24n50q ixft24n50q ixfh26n50q ixft26n50q.pdf pdf_icon

IXFT24N100

HiPerFETTM VDSS ID25 RDS(on) Power MOSFETs IXFH/IXFT 24N50Q 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT 26N50Q 500 V 26 A 0.20 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1

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IXFT24N100

Preliminary Technical Information VDSS = 900V IXFH24N90P PolarTM Power MOSFET ID25 = 24A IXFT24N90P HiPerFETTM RDS(on) 420m N-Channel Enhancement Mode trr 300ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

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 ixfh24n80p ixfk24n80p ixft24n80p.pdf pdf_icon

IXFT24N100

IXFH 24N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFK 24N80P ID25 = 24 A Power MOSFET IXFT 24N80P RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGSS Con

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