STL3NK40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL3NK40
Código: 3NK40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X5
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL3NK40
STL3NK40 Datasheet (PDF)
stl3nk40.pdf
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stl3n10f7.pdf
STL3N10F7N-channel 100 V, 0.062 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID12STL3N10F7 100 V 0.07 4 A 3 N-channel enhancement mode6152 Low gate charge43 100% avalanche ratedPowerFLAT 2x2Applications Switching applicationsDescripti
stl3nm60n.pdf
STL3NM60NN-channel 600 V, 1.5 , 2.2 A MDmesh II Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code RDS(on) max. ID1234STL3NM60N 1.8 2.2 A 100% avalanche tested857667 Low input capacitance and gate charge58 Low gate input resistancePowerFLAT 3.3x3.3 HVApplication Switching appli
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