STL3NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL3NM60N
Código: 3NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT3.3X3.3HV
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL3NM60N
STL3NM60N Datasheet (PDF)
stl3nm60n.pdf
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stl3n10f7.pdf
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stl3nk40.pdf
STL3NK40N-channel 400 V, 4.5 typ., 0.43 A, SuperMESH Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOT67 7855STL3NK40 400 V 5.5 0.43 A 2.5 W1144 Extremely high dv/dt capability12 100% avalanche rated11 1214 Gate charge minimizedType C Type S Very low intrinsic capaci
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