STL3NM60N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL3NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT3.3X3.3HV

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STL3NM60N datasheet

 ..1. Size:860K  st
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STL3NM60N

STL3NM60N N-channel 600 V, 1.5 , 2.2 A MDmesh II Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 HV package Datasheet - production data Features Order code RDS(on) max. ID 1 2 3 4 STL3NM60N 1.8 2.2 A 100% avalanche tested 8 5 7 6 6 7 Low input capacitance and gate charge 5 8 Low gate input resistance PowerFLAT 3.3x3.3 HV Application Switching appli

 9.1. Size:883K  st
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STL3NM60N

STL3N10F7 N-channel 100 V, 0.062 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID 1 2 STL3N10F7 100 V 0.07 4 A 3 N-channel enhancement mode 6 1 5 2 Low gate charge 4 3 100% avalanche rated PowerFLAT 2x2 Applications Switching applications Descripti

 9.2. Size:801K  st
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STL3NM60N

STL3NK40 N-channel 400 V, 4.5 typ., 0.43 A, SuperMESH Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT 6 7 7 8 5 5 STL3NK40 400 V 5.5 0.43 A 2.5 W 11 4 4 Extremely high dv/dt capability 12 100% avalanche rated 1 1 12 14 Gate charge minimized Type C Type S Very low intrinsic capaci

Otros transistores... STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3, STL36N55M5, STL38N65M5, STL3N10F7, STL3NK40, MMIS60R580P, STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3, STL42P4LLF6, STL42P6LLF6, STL45N65M5, STL4N10F7, STL4N80K5