STL40N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL40N10F7
Código: 40N10F7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL40N10F7
STL40N10F7 Datasheet (PDF)
stl40n10f7.pdf
STL40N10F7N-channel 100 V, 0.02 typ., 10 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTL40N10F7 100 V 0.024 10 A 5 W Ultra low on-resistance123 100% avalanche tested4PowerFLAT 5x6 Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sche
stl40n75lf3.pdf
STL40N75LF3N-channel 75 V, 16 m typ., 10 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.1STL40N75LF3 75 V 19 m 10 A 234 N-channel enhancement mode Low gate chargePowerFLAT 5x6 Low threshold voltage deviceApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Switching
stl40c30h3ll.pdf
STL40C30H3LLN-channel 30 V, 0.019 typ., 10 A, P-channel 30 V, 0.024 typ.,8 ASTripFET VI Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 d. i. packageDatasheet - production dataFeatures Order code Channel VDS RDS(on) max IDN 0.021 @ 10 V 10 ASTL40C30H3LL 30 VP0.03 @ 10 V 8 A12 RDS(on) * Qg industry benchmark34 Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanc
stl40dn3llh5.pdf
STL40DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.016 , 11 APowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDSo(n) IDSTL40DN3LLH5 30 V
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