STL45N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL45N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
Búsqueda de reemplazo de STL45N65M5 MOSFET
STL45N65M5 Datasheet (PDF)
stl45n65m5.pdf

STL45N65M5N-channel 650 V, 0.075 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL45N65M5 710 V
Otros transistores... STL3N10F7 , STL3NK40 , STL3NM60N , STL40C30H3LL , STL40N10F7 , STL40N75LF3 , STL42P4LLF6 , STL42P6LLF6 , BS170 , STL4N10F7 , STL4N80K5 , STL4P2UH7 , STL4P3LLH6 , STL50NH3LL , STL51N3LLH5 , STL55NH3LL , STL57N65M5 .
History: K2698B | AM9569D | AP30P10GS | 2SK3591 | PMPB8XN | SQM100N04-2M7 | IPD110N12N3
History: K2698B | AM9569D | AP30P10GS | 2SK3591 | PMPB8XN | SQM100N04-2M7 | IPD110N12N3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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