STL55NH3LL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL55NH3LL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de STL55NH3LL MOSFET
STL55NH3LL Datasheet (PDF)
stl55nh3ll.pdf
STL55NH3LLN-channel 30 V, 0.0079 , 15 A, PowerFLAT (6x5)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL55NH3LL 30 V
Otros transistores... STL42P6LLF6 , STL45N65M5 , STL4N10F7 , STL4N80K5 , STL4P2UH7 , STL4P3LLH6 , STL50NH3LL , STL51N3LLH5 , IRF540N , STL57N65M5 , STL58N3LLH5 , STL60N10F7 , STL60NH3LL , STL60P4LLF6 , STL62P3LLH6 , STL66DN3LLH5 , STL66N3LLH5 .
History: GSM4998W | 2SK2022-01M | TK20E60W5 | PTP13N50B | HTD2K1P10 | AON7764 | SQM120N06-04L
History: GSM4998W | 2SK2022-01M | TK20E60W5 | PTP13N50B | HTD2K1P10 | AON7764 | SQM120N06-04L
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904