STW14NM50FD Todos los transistores

 

STW14NM50FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW14NM50FD
   Código: W14NM50FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

STW14NM50FD Datasheet (PDF)

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STW14NM50FD

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1STP12NM50FD/FP - STW14NM50FDN-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID Pw33STB12NM50FD 500V

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STW14NM50FD

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1STP12NM50FD/FP - STW14NM50FDN-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID Pw33STB12NM50FD 500V

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STW14NM50FD

STW14NM50N-CHANNEL 550V @ Tjmax - 0.32 - 14A TO-247MDmesh MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STW14NM50 550 V

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 sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stb14nm65n stf14nm65n.pdf pdf_icon

STW14NM50FD

STB14NM65N, STF14NM65NSTI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65NN-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) max32312STI14NM65N 710 V

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History: STFV4N150 | IXTH50N20 | AFN4486 | SI1016CX

 

 
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