STW14NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW14NM65N
   Código: 14NM65N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW14NM65N

STW14NM65N Datasheet (PDF)

..1. Size:548K st
sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stb14nm65n stf14nm65n.pdf

STB14NM65N, STF14NM65NSTI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65NN-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) max32312STI14NM65N 710 V

..2. Size:546K st
stb14nm65n stb14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stw14nm65n.pdf

7.1. Size:478K st
stb12nm50fdt4 stp12nm50fd stw14nm50fd.pdf

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1STP12NM50FD/FP - STW14NM50FDN-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID Pw33STB12NM50FD 500V

7.2. Size:249K st
stw14nm50.pdf

STW14NM50N-CHANNEL 550V @ Tjmax - 0.32 - 14A TO-247MDmesh MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STW14NM50 550 V

7.3. Size:483K st
stb12nm50fd stp12nm50fd-fp stw14nm50fd.pdf

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Liste

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