STW19NM65N Todos los transistores

 

STW19NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW19NM65N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW19NM65N Datasheet (PDF)

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STW19NM65N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

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STW19NM65N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

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STW19NM65N

STW19NM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.26 typ., 13 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures VDS RDS(on) Order code ID PTOT(@Tjmax) max.STW19NM60N 650 V 0.285 13 A 110 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified21 100% avalanche testedTO-247 Low input capacitance and gate charge

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STW19NM65N

STF19NM50NSTP19NM50N, STW19NM50NN-channel 500 V, 0.2 , 14 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220FP, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max33STF19NM50N2211STP19NM50N 550 V

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History: GSM2308A | AOT1606L | AOT502 | AP15P10GJ-HF | BUK7108-40AIE | SDF50NA20GBF | UPA2815T1S

 

 
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