STW19NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW19NM65N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
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STW19NM65N Datasheet (PDF)
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STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V
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STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V
stw19nm60n.pdf
STW19NM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.26 typ., 13 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures VDS RDS(on) Order code ID PTOT(@Tjmax) max.STW19NM60N 650 V 0.285 13 A 110 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified21 100% avalanche testedTO-247 Low input capacitance and gate charge
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STF19NM50NSTP19NM50N, STW19NM50NN-channel 500 V, 0.2 , 14 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220FP, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max33STF19NM50N2211STP19NM50N 550 V
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