STW23N85K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW23N85K5
   Código: 23N85K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.275 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW23N85K5

STW23N85K5 Datasheet (PDF)

..1. Size:796K st
stw23n85k5.pdf

STW23N85K5N-channel 850 V, 0.2 typ., 19 A Zener-protected SuperMESH5Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID PWSTW23N85K5 850 V

8.1. Size:560K st
stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

8.2. Size:814K st
stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdf

STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V

8.3. Size:558K st
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8.4. Size:757K st
stb23nm50n stf23nm50n stp23nm50n stw23nm50n.pdf

STB23NM50N, STF23NM50NSTP23NM50N, STW23NM50NN-channel 500 V, 0.162 , 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33221STB23NM50N1TO-220FP TO-220STF23NM50N550 V

8.5. Size:212K inchange semiconductor
stw23nm60nd.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STW23NM60NDFEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: