STW24N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW24N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW24N60M2 datasheet

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STW24N60M2

STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 2 3 1 STB24N60M2 3 2 1 D2PAK STI24N60M2 I2PAK 650 V 0.19 18 A STP24N60M2 TAB STW24N60M2 Extremely low gate charge

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STW24N60M2

STB24N60DM2, STP24N60DM2, STW24N60DM2 N-channel 600 V, 0.175 typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB VDS @ RDS(on) 2 Order codes ID 3 TJmax max 1 3 STB24N60DM2 D2PAK 2 1 STP24N60DM2 650 V 0.20 18 A TO-220 STW24N60DM2 Extremely low gate charge and input capacitance 3 2

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STW24N60M2

STF24NM60N STP24NM60N, STW24NM60N N-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFET TO-220FP, TO-220 and TO-247 Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. STF24NM60N 650 V

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STW24N60M2

STF24NM60N, STI24NM60N, STP24NM60N, STW24NM60N N-channel 600 V, 0.168 typ., 17 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, I PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data TAB Features Order codes VDS @Tjmax RDS(on) max. ID STF24NM60N 3 3 2 2 1 1 STI24NM60N I2PAK TO-220FP 650 V 0.19 17 A STP24NM60N TAB STW24NM60N 100% avalanche tested 3 3 2 L

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