STW25N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW25N80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW25N80K5
STW25N80K5 Datasheet (PDF)
stb25n80k5 stf25n80k5 stp25n80k5 stw25n80k5.pdf
STB25N80K5, STF25N80K5, STP25N80K5, STW25N80K5N-channel 800 V, 0.19 typ., 19.5 A MDmesh K5 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order code ID PTOTTJmax max3312STB25N80K5 250 W1D2PAKTO-220FPSTF25N80K5 40 WTAB800 V
stw25n60m2-ep.pdf
STW25N60M2-EPDatasheetN-channel 600 V, 0.175 typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 packageFeaturesVDS @ TJmax RDS(on) max. IDOrder codeSTW25N60M2-EP 650 V 0.188 18 A Extremely low gate charge3 Excellent output capacitance (COSS) profile21 Very low turn-off switching losses 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2, TAB)
stb25nm60n-1 stb25nm60n stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdf
STB25NM60Nx - STF25NM60NSTP25NM60N - STW25NM60NN-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB25NM60N 650 V
stb25nm50n-1 stf25nm50n stw25nm50n.pdf
STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V
stw25n95k3.pdf
STW25N95K3N-channel 950 V, 0.32 , 22 A, TO-247SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTW25N95K3 950 V
stb25nm50n stf25nm50n stp25nm50n stw25nm50n.pdf
STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V
stb25nm60nd sti25nm60nd stf25nm60nd stp25nm60nd stw25nm60nd.pdf
STx25NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33 13221STB25NM60ND 21 A 1D2PAKTO-220STI25NM60ND 21 ATO-220FPSTF25NM60ND 650 V 0.16 21 A(1)STP25NM60ND 21 ASTW25NM60ND 21 A1. Limited only by maximum temperature allowed323121 The worldwide
stw25nm50n stf25nm50n stb25nm50n std25nm50n.pdf
STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V
stb25nm60nx stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdf
STB25NM60Nx - STF25NM60NSTP25NM60N - STW25NM60NN-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB25NM60N 650 V
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918