STW38N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW38N65M5
Código: 38N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 71 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 74 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW38N65M5
STW38N65M5 Datasheet (PDF)
stb38n65m5 stf38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf
STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 , 30 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID1 TJmax max32D2PAKSTB38N65M51TO-220FP STF38N65M5
stb38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf
STB38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 2Order codes ID3TJmax max1STB38N65M5D2PAKSTP38N65M5 710 V 0.095 30 ATABSTW38N65M5 Higher VDSS rating and high dv/dt capability33 Excellent switching performance
stw38nb20.pdf
STW38NB20N-CHANNEL 200V - 0.052 - 38A TO-247PowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTW38NB20 200 V
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
