STW40N20 Todos los transistores

 

STW40N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW40N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW40N20

 

STW40N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  st
stb40n20 stb40n20 stp40n20 stp40n20fp stw40n20 stp40n20 stw40n20.pdf

STW40N20
STW40N20

STP40N20 - STF40N20STB40N20 - STW40N20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PW3STB40N20 200V

 8.1. Size:773K  st
stw40n90k5 stwa40n90k5.pdf

STW40N20
STW40N20

STW40N90K5, STWA40N90K5 N-channel 900 V, 0.088 typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTW40N90K5 900 V 0.099 40 A STWA40N90K5 Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche

 8.2. Size:116K  st
stw40ns15.pdf

STW40N20
STW40N20

STW40NS15N-CHANNEL 150V - 0.042 - 40A TO-247MESH OVERLAY MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTW40NS15 150 V

 8.3. Size:477K  st
stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf

STW40N20
STW40N20

STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V

 8.4. Size:1189K  st
stb40n60m2 stp40n60m2 stw40n60m2.pdf

STW40N20
STW40N20

STB40N60M2, STP40N60M2,STW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID2STB40N60M23132 STP40N60M2 650 V 0.088 34 AD2PAK1STW40N60M2TO-220 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous

 8.5. Size:420K  st
stw40n65m2.pdf

STW40N20
STW40N20

STW40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTW40N65M2 650 V 0.099 32 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1Applications TO-247 Switching applicat

 8.6. Size:484K  st
stb40nf20 stf40nf20 stp40nf20 stw40nf20.pdf

STW40N20
STW40N20

STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V

 8.7. Size:761K  st
stw40n95k5.pdf

STW40N20
STW40N20

STW40N95K5 N-channel 950 V, 0.110 typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max I P DS DS(on) D TOTSTW40N95K5 950 V 0.130 38 A 450 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) 32 Ultra low gate charge 1 100% avalanche tested Zener-protected

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP9973GJ-HF

 

 
Back to Top

 


History: AP9973GJ-HF

STW40N20
  STW40N20
  STW40N20
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top