STW80NF55-08 Todos los transistores

 

STW80NF55-08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW80NF55-08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW80NF55-08 Datasheet (PDF)

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STW80NF55-08

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V

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STW80NF55-08

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V

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STW80NF55-08

STW80NF55-06N-CHANNEL 55V - 0.005 - 80A TO-247STripFET II POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NF55-06 55 V

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STW80NF55-08

STW80NF55-08N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NF55-08 55 V

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History: APT50M85B2VFR | CES2320 | OSG60R180PF | APT4M120K | AON6246 | HY1710PM | HGD120N10AL

 

 
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