STW88N65M5 Todos los transistores

 

STW88N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW88N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

STW88N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  st
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STW88N65M5

STW88N65M5N-channel 650 V, 0.024 typ., 84 A, MDmesh V Power MOSFET in TO-247 packageDatasheet production dataFeaturesVDSS Order code@Tjmax. RDS(on) max. IDSTW88N65M5 710 V

 ..2. Size:1223K  st
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STW88N65M5

STW88N65M5 STWA88N65M5N-channel 650 V, 0.024 typ., 84 A, MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeaturesVDSS Order codes@Tjmax. RDS(on) max. IDSTW88N65M5710 V 0.029 84 ASTWA88N65M5321 Worldwide best RDS(on) in TO-247TO-247 Higher VDSS ratingTO-247 long leads Higher dv/dt capability Ex

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History: VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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