STWA20N95K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STWA20N95K5
   Código: 20N95K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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STWA20N95K5 Datasheet (PDF)

..1. Size:1087K st
stwa20n95k5.pdf

STWA20N95K5N-channel 950 V, 0.275 , 17.5 A SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-247 long leads packageDatasheet - preliminary dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID PWSTWA20N95K5 950 V 0.330 17.5 A 250 W Worldwide best FOM (figure of merit) Ultra low gate charge3 100% avalanche tested21 Zener-protectedTO-247 long leadsApplications Switchi

5.1. Size:784K st
stw20n95dk5 stwa20n95dk5.pdf

STW20N95DK5, STWA20N95DK5 N-channel 950 V, 0.275 typ., 18 A, MDmesh DK5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTW20N95DK5 950 V 0.330 18 A STWA20N95DK5 Fast-recovery body diode Best R x area DS(on) Low gate charge, input capacitance and resistance 100% a

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