MCP04N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCP04N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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MCP04N65 Datasheet (PDF)
Otros transistores... MCH6412 , MCH6429 , MCH6660 , MCH6661 , MCH6662 , MCH6663 , MCH6664 , MCP04N60 , IRF1405 , MCP87018 , MCP87022 , MCP87030 , MCP87050 , MCP87055 , MCP87090 , MCP87130 , MCPF04N60 .
Liste
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