SP8K33FRA Todos los transistores

 

SP8K33FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP8K33FRA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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SP8K33FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  rohm
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SP8K33FRASP8K33Transistors AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Nch MOSFETSP8K33FRASP8K33 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5

 9.1. Size:946K  rohm
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SP8K31FRASP8K31TransistorAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Nch MOSFETSP8K31SP8K31FRA Dimensions (Unit : mm) Structure SOP8Silicon N-channel MOSFET Features1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). ApplicationsEach lead has same dimensionsSwitching Equivalent circuit Packaging dimensions (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Packa

 9.2. Size:953K  cn vbsemi
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SP8K31-TBwww.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channe

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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