SP8K33FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8K33FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SP8K33FRA datasheet

 ..1. Size:946K  rohm
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SP8K33FRA

SP8K33FRA SP8K33 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Nch MOSFET SP8K33FRA SP8K33 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5

 9.1. Size:946K  rohm
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SP8K33FRA

SP8K31FRA SP8K31 Transistor AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Nch MOSFET SP8K31 SP8K31FRA Dimensions (Unit mm) Structure SOP8 Silicon N-channel MOSFET Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Applications Each lead has same dimensions Switching Equivalent circuit Packaging dimensions (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Packa

 9.2. Size:953K  cn vbsemi
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SP8K33FRA

SP8K31-TB www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channe

Otros transistores... MCU05N60, ME3587-G, MFE930, MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, IRF540N, SP8K80, SP8M10FRA, SP8M21FRA, SP8M51, SP8M70, SP8M8FRA, SPB100N03S2, SPB42N03S2L-13