IXFX180N085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFX180N085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFX180N085

IXFX180N085 Datasheet (PDF)

..1. Size:46K ixys
ixfk180n085 ixfx180n085.pdf

Advanced Technical InformationHiPerFETTM IXFK 180N085 VDSS = 85 VIXFX 180N085 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 7 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C85 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 85 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 1

5.1. Size:80K ixys
ixfk180n07 ixfx180n07.pdf

IXFK 180N07 VDSS = 70 VHiPerFETTMIXFX 180N07 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 6 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 70 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 2

6.1. Size:138K ixys
ixfk180n25t ixfx180n25t.pdf

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 250VIXFK180N25TID25 = 180APower MOSFETIXFX180N25T RDS(on) 12.9m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

6.2. Size:178K ixys
ixfk180n15p ixfx180n15p.pdf

VDSS = 150 VIXFK 180N15PPolarTM HiPerFETID25 = 180 AIXFX 180N15PPower MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVDS Continuous 20 VTO

6.3. Size:109K ixys
ixfk180n10 ixfx180n10.pdf

HiPerFETTM IXFK 180N10 VDSS = 100 VIXFX 180N10 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 8 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 180 A

Otros transistores... IXFX100N25 , IXFX120N20 , IXFX13N100 , IXFX14N100 , IXFX150N15 , IXFX15N100 , IXFX16N90 , IXFX180N07 , STF13NM60N , IXFX180N10 , IXFX24N100 , IXFX26N90 , IXFX28N60 , IXFX32N50Q , IXFX34N80 , IXFX44N60 , IXFX48N50Q .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: