SPP18P06PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPP18P06PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TO220-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPP18P06PG

SPP18P06PG Datasheet (PDF)

..1. Size:571K infineon
spp18p06pg spp18p06ph.pdf

SPP18P06PHSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -60 V P-ChannelRDS(on),max 0.13 Enhancement modeID -18.7 A Avalanche rated dv /dt ratedPG-TO220-3-1 175C operating temperature Pb-free lead finishing; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101Type Package Tape and reel

..2. Size:740K cn vbsemi
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SPP18P06PGwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () TrenchFET Power MOSFETID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.062 at VGS = - 10 V - 20- 60 12.50.074 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load SwitchSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter

5.1. Size:641K infineon
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SPP18P06P H SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -60 VDS P-ChannelR 0.13DS(on),max Enhancement modeI -18.7 AD Avalanche rated dv /dt rated 175C operating temperature Pb-free lead finishing; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and reel information

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Liste

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