SQ2308ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ2308ES
   Código: 8J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-236

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ2308ES

SQ2308ES Datasheet (PDF)

..1. Size:108K vishay
sq2308es.pdf

SQ2308ESVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.155 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.205 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) 2.3 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Single Find out more a

8.1. Size:224K vishay
sq2308bes.pdf

SQ2308BESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.170 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.220 100 % Rg and UIS TestedID (A) 2.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

8.2. Size:261K vishay
sq2308ces.pdf

SQ2308CESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified cRDS(on) () at VGS = 10 V 0.150 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.164 Material categorization:ID (A) 2.3 For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 C

9.1. Size:217K vishay
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SQ2303ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.170 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.370 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 2.5 Compliant to RoHS Directive 2

9.2. Size:218K vishay
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SQ2309ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.335 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.500 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 1.7 Compliant to RoHS Directive 2

9.3. Size:216K vishay
sq2301es.pdf

SQ2301ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.120 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.180 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 3.9 Compliant to RoHS Directive

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: