SQ7002K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ7002K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ7002K

SQ7002K Datasheet (PDF)

..1. Size:100K vishay
sq7002k.pdf

SQ7002KVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 1.30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 1.90 AEC-Q101 QualifieddID (A) 0.32 ESD Protection 2000 VConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: