SQ7002K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ7002K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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SQ7002K datasheet

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SQ7002K

SQ7002K Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 1.30 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 1.90 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 0.32 ESD Protection 2000 V Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/

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